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资料
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品类: RAM芯片描述: 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture78331-9￥149.304510-49￥145.409650-99￥142.4235100-199￥141.3849200-499￥140.6059500-999￥139.56731000-1999￥138.9181≥2000￥138.2690 -
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品类: RAM芯片描述: CY7C1315KV18 系列 18 Mb (512 K x 36) 1.7 - 1.9 V QDR® II SRAM - FBGA-16571141-9￥105.961010-99￥101.3540100-249￥100.5247250-499￥99.8798500-999￥98.86621000-2499￥98.40552500-4999￥97.7605≥5000￥97.2077 -
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品类: RAM芯片描述: SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48Pin VFBGA999210-99￥9.7800100-499￥9.2910500-999￥8.96501000-1999￥8.94872000-4999￥8.88355000-7499￥8.80207500-9999￥8.7368≥10000￥8.7042 -
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品类: RAM芯片描述: CY7C2665 144 Mb (4M x 36) 0.45ns 1.8 V 双端口 同步 SRAM - FBGA-16542151-9￥1126.605010-49￥1087.075050-99￥1082.1338100-149￥1077.1925150-249￥1069.2865250-499￥1062.3688500-999￥1055.4510≥1000￥1047.5450 -
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品类: RAM芯片描述: 72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accesses88191-9￥418.784010-49￥407.859250-99￥399.4835100-199￥396.5702200-499￥394.3853500-999￥391.47201000-1999￥389.6512≥2000￥387.8304 -
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品类: RAM芯片描述: 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture64881-9￥120.646510-49￥117.499250-99￥115.0863100-199￥114.2470200-499￥113.6175500-999￥112.77831000-1999￥112.2537≥2000￥111.7292 -
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品类: RAM芯片描述: 静态随机存取存储器 4Mb 10ns 256K x 16 Fast Async 静态随机存取存储器40155-49￥17.397950-199￥16.6544200-499￥16.2380500-999￥16.13401000-2499￥16.02992500-4999￥15.91095000-7499￥15.8366≥7500￥15.7622 -
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品类: RAM芯片描述: RAM 存储器，Cypress Semiconductor ### SRAM（静态随机存取存储器）534110-99￥9.1440100-499￥8.6868500-999￥8.38201000-1999￥8.36682000-4999￥8.30585000-7499￥8.22967500-9999￥8.1686≥10000￥8.1382 -
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品类: RAM芯片描述: CY62177EV30 系列 32-Mb (2 M × 16 / 4 M × 8) 55 ns 静态 RAM - FBGA-4833191-9￥211.577010-49￥206.057650-99￥201.8261100-199￥200.3542200-499￥199.2503500-999￥197.77851000-1999￥196.8586≥2000￥195.9387 -
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品类: RAM芯片描述: CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62158EV30LL-45ZSXI 芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 并行口, 45NS, 44TSOP29435-49￥22.288550-199￥21.3360200-499￥20.8026500-999￥20.66931000-2499￥20.53592500-4999￥20.38355000-7499￥20.2883≥7500￥20.1930 -
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品类: RAM芯片描述: CY62157EV30 系列 8 Mb (512 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - TSOP-4443985-49￥21.305750-199￥20.3952200-499￥19.8853500-999￥19.75791000-2499￥19.63042500-4999￥19.48475000-7499￥19.3937≥7500￥19.3026 -
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品类: RAM芯片描述: CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62136EV30LL-45ZSXI 芯片, 存储器, SRAM, 2MB, 并行口, 45NS, 44TSOP12125-49￥24.066950-199￥23.0384200-499￥22.4624500-999￥22.31851000-2499￥22.17452500-4999￥22.00995000-7499￥21.9071≥7500￥21.8042 -
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品类: RAM芯片描述: CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62147EV30LL-45ZSXI 芯片, SRAM, 4Mb, 256KX16, 3V, TSOPII-4492015-49￥12.144650-199￥11.6256200-499￥11.3350500-999￥11.26231000-2499￥11.18962500-4999￥11.10665000-7499￥11.0547≥7500￥11.0028 -
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品类: RAM芯片描述: CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62126EV30LL-45ZSXI 芯片, SRAM, 1Mb, 64KX16, 3V, TSOPII-4441285-49￥13.150850-199￥12.5888200-499￥12.2741500-999￥12.19541000-2499￥12.11672500-4999￥12.02685000-7499￥11.9706≥7500￥11.9144 -
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品类: RAM芯片描述: CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62128EV30LL-45ZAXI 存储芯片, SRAM, 1M, 并行口, 45NS, TSOP-3273605-49￥14.648450-199￥14.0224200-499￥13.6718500-999￥13.58421000-2499￥13.49662500-4999￥13.39645000-7499￥13.3338≥7500￥13.2712 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip26251-9￥37.039210-99￥34.9140100-249￥33.3353250-499￥33.0924500-999￥32.84951000-2499￥32.57632500-4999￥32.3334≥5000￥32.1816 -
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品类: RAM芯片描述: DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin VFBGA Tray186720-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: RAM芯片描述: Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-8628981-9￥58.767410-99￥55.3955100-249￥52.8907250-499￥52.5053500-999￥52.11991000-2499￥51.68642500-4999￥51.3011≥5000￥51.0602 -
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品类: RAM芯片描述: DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA91931-9￥95.438510-99￥91.2890100-249￥90.5421250-499￥89.9612500-999￥89.04831000-2499￥88.63332500-4999￥88.0524≥5000￥87.5545 -
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品类: RAM芯片描述: DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 60Pin FBGA Tray10221-9￥100.912510-99￥96.5250100-249￥95.7353250-499￥95.1210500-999￥94.15581000-2499￥93.71702500-4999￥93.1028≥5000￥92.5763 -
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品类: RAM芯片描述: 32M X 16 3.3V 133MHz COMMERCIAL (0° to 70℃) 54Pin TSOP II72121-9￥892.380610-49￥861.069050-99￥857.1551100-149￥853.2411150-249￥846.9788250-499￥841.4993500-999￥836.0197≥1000￥829.7574 -
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品类: RAM芯片描述: PSRAM Async 1 128M-Bit 8M x 16 70ns 54Pin VFBGA Tray53855-49￥31.367750-199￥30.0272200-499￥29.2765500-999￥29.08891000-2499￥28.90122500-4999￥28.68675000-7499￥28.5527≥7500￥28.4186 -
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品类: RAM芯片描述: SDRAM-DDR3L-存储器-IC-8Gb（512M-x-16）-并联-933MHz-20ns-96-FBGA（14x9）36601-9￥71.932510-99￥68.8050100-249￥68.2421250-499￥67.8042500-999￥67.11621000-2499￥66.80342500-4999￥66.3656≥5000￥65.9903 -
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品类: Flash芯片描述: SLC NAND Flash 3.3V 4G-bit 48Pin TSOP Tray75111-9￥139.495010-49￥135.856050-99￥133.0661100-199￥132.0957200-499￥131.3679500-999￥130.39751000-1999￥129.7910≥2000￥129.1845 -
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品类: RAM芯片描述: 1.35V DDR3L SDRAM SODIMM92801-9￥1521.267010-24￥1507.437325-49￥1500.522550-99￥1493.6076100-149￥1486.6928150-249￥1479.7779250-499￥1472.8631≥500￥1465.9482 -
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品类: Flash芯片描述: SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I Tray844620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: RAM芯片描述: 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K X 16,12ns,3.3V,44Pin TSOP II, Leadfree27095-49￥23.435150-199￥22.4336200-499￥21.8728500-999￥21.73261000-2499￥21.59232500-4999￥21.43215000-7499￥21.3320≥7500￥21.2318 -
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品类: RAM芯片描述: RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）63895-49￥14.812250-199￥14.1792200-499￥13.8247500-999￥13.73611000-2499￥13.64752500-4999￥13.54625000-7499￥13.4829≥7500￥13.4196 -
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品类: RAM芯片描述: 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR216071-9￥53.643410-99￥50.5655100-249￥48.2791250-499￥47.9273500-999￥47.57551000-2499￥47.17982500-4999￥46.8281≥5000￥46.6082 -
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品类: RAM芯片描述: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16320C-25DBLI 芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 512MB, 1.8V, 84BGA56785-49￥14.180450-199￥13.5744200-499￥13.2350500-999￥13.15021000-2499￥13.06542500-4999￥12.96845000-7499￥12.9078≥7500￥12.8472
